英飛凌IGBT功率模塊 FF100R12KT4 可控硅晶閘管模塊

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上海梓毅

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詳細參數(shù)
品牌INFINEON型號FF100R12KT4
用途變頻換流封裝外形螺絲型
材料IGBT絕緣柵比極相數(shù)三相
控制方式脈沖頻率調(diào)制(PFM)主電路形式全橋式
頻率變頻加工定制
導電溝道N溝道導電方式增強型
極間電容詳詢pF開啟電壓1200
夾斷電壓1200最大漏極電流100
低頻噪聲系數(shù)標準dB最大散熱功率2500mW
產(chǎn)品認證原裝進口產(chǎn)地德國

產(chǎn)品詳情

IGBT使用注意事項

(1)操作過程中要佩戴防靜電手環(huán);


(2)盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;


(3)IGBT模塊驅(qū)動端子上的黑色海綿是防靜電材料,用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線;


(4)在焊接作業(yè)時,設備容易引起靜電壓的產(chǎn)生,為了防止靜電的產(chǎn)生,請先將設備處于良好的接地狀態(tài)下。


IGBT如何保管

1、一般保存IGBT模塊的場所,應保持常溫常濕狀態(tài),不應偏離太大。常溫的規(guī)定為5~35℃,常濕的規(guī)定為45%~75%。在冬天特別干燥的地區(qū),需要加濕機加濕。


2、盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。


3、在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方。


4、IGBT模塊在未投入生產(chǎn)時不要裸露放置,防止端子氧化情況的發(fā)生。

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