IGBT檢測試分析  **  華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機(jī)構(gòu)

 

IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機(jī)構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì)，擁有多個設(shè)備NO.1、水平NO.1、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實(shí)驗(yàn)單位”，對外提供檢測測試和驗(yàn)證等服務(wù)。

 

IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測、半導(dǎo)體可靠性檢測、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)分析、應(yīng)用級系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測試認(rèn)證、車用功率模塊可靠性測試認(rèn)證、力學(xué)實(shí)驗(yàn)、氣候環(huán)境實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域，

 

IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMAIGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

 

 

 

 

 

 

                                                                                

服務(wù)目錄

IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

一、失效分析測試·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測項(xiàng)目：開短路檢測 4

(2) 檢測項(xiàng)目：漏電檢測 4

(3) 檢測項(xiàng)目：產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn) 4

(4) 檢測項(xiàng)目：尺寸測量 4

(5) 檢測項(xiàng)目：超聲波檢測(SAT) 4

(6) 檢測項(xiàng)目：X-ray檢測 5

(7) 檢測項(xiàng)目：推拉力檢測 5

(8) 檢測項(xiàng)目：有害物質(zhì)檢測 5

(9) 檢測項(xiàng)目：剖面分析 5

(10) 檢測項(xiàng)目：樣品開封 5

二、電學(xué)檢測 ·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測項(xiàng)目：直流參數(shù) 6

(2) 檢測項(xiàng)目：雪崩能量 6

(3) 檢測項(xiàng)目∶柵極電阻 6

(4) 檢測項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（器件級） 6

(5) 檢測項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（模塊級） 6

(6) 檢測項(xiàng)目：反向恢復(fù)（模塊級） 6

(7) 檢測項(xiàng)目：反向恢復(fù)（器件級） 6

(8) 檢測項(xiàng)目：柵極電荷（模塊級） 7

(9) 檢測項(xiàng)目：柵極電荷（器件級） 7

(10) 檢測項(xiàng)目：短路耐量能力（模塊級） 7

(11) 檢測項(xiàng)目：短路耐量能力（器件級） 7

(12) 檢測項(xiàng)目：結(jié)電容 7

(13) 檢測項(xiàng)目：熱阻性能（器件級） 7

(14) 檢測項(xiàng)目：熱阻性能（模塊級） 7

(15) 檢測項(xiàng)目：參數(shù)曲線掃描 8

(16) 檢測項(xiàng)目：ESD能力 8

(17) 檢測項(xiàng)目：正向浪涌能力 8

三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測 ·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測項(xiàng)目：電氣參數(shù) 9

(2) 檢測項(xiàng)目：保護(hù)功能測試 9

(3) 檢測項(xiàng)目：元器件應(yīng)力測試 9

(4) 檢測項(xiàng)目：電氣/抗電強(qiáng)度測試 9

(5) 檢測項(xiàng)目：絕緣電阻測試 10

(6) 檢測項(xiàng)目：接地電阻測試 10

(7) 檢測項(xiàng)目：低溫測試 10

(8) 檢測項(xiàng)目：高溫測試 10

(9) 檢測項(xiàng)目：高加速壽命/應(yīng)力測試 10

(10) 檢測項(xiàng)目：靜電放電抗擾度測試 10

(11) 檢測項(xiàng)目：雷擊浪涌抗擾度測試 10

(12) 檢測項(xiàng)目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測試 11

四、可靠性測試 ·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測項(xiàng)目：功率循環(huán)齷 (PC) 12

(2) 檢測項(xiàng)目：高溫門極試驗(yàn)(HTGB) 12

(3) 檢測項(xiàng)目：低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL) 12

(4) 檢測項(xiàng)目：低溫儲存試驗(yàn)(LTSL) 12

(5) 檢測項(xiàng)目：高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC) 12

(6) 檢測項(xiàng)目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL) 12

(7) 檢測項(xiàng)目：無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST) 13

(8) 檢測項(xiàng)目：預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con) 13

(9) 檢測項(xiàng)目：高溫反偏試驗(yàn)(HTRB) 13

(10) 檢測項(xiàng)目：高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL) 13

(11) 檢測項(xiàng)目：高溫儲存試驗(yàn)(HTSL) 13

(12) 檢測項(xiàng)目：高溫高濕試驗(yàn)(THB) 13

(13) 檢測項(xiàng)目：間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC) 13

(14) 檢測項(xiàng)目：高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST) 14

(15) 檢測項(xiàng)目：高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT) 14

(16) 檢測項(xiàng)目：潮氣敏感度等級試驗(yàn)(MSL) 14

(17) 檢測項(xiàng)目：可焊性試驗(yàn)(Solderability) 14

一、失效分析測試·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測項(xiàng)目：開短路檢測

? 覆蓋產(chǎn)品：IC

? 檢測能力：滿足128pin及以下引腳IC的open/short測試、曲線跟蹤分析、漏電流測試；MAX電壓7V，電壓精度1mV，MAX電流 500mA，電礪度 10nA；

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

(2) 檢測項(xiàng)目：漏電檢測

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光誘導(dǎo))兩種偵測方 式；加電方式A：電壓20mV-200V，電流10nA-1A，電流精度 10fA；加電方式B：MAX電壓3000V，MAX電流5A。

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

(3) 檢測項(xiàng)目：產(chǎn)品外觀或形貌確認(rèn)

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：立體成像/MAX45倍；金相成像/MAX1000倍；數(shù)碼成像/MAX6000倍；

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

(4) 檢測項(xiàng)目：尺寸測量

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：立體成像/MAX45倍；金相成像/MAX1000倍；數(shù)碼成像/MAX6000倍；

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

(5) 檢測項(xiàng)目：超聲波檢測(SAT)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力∶具有分層面積百分比計(jì)算，缺陷尺寸標(biāo)識，厚度與距離測量等功能?？蛇M(jìn)行A-scan（點(diǎn)掃描）、B-scan（縱向掃描）、 C-scan（橫向掃描）、Through-scan（透射掃描）。

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶GuoJun標(biāo)

(6) 檢測項(xiàng)目：X-ray檢測

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：High分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計(jì)算，缺陷尺寸標(biāo)識，厚度與距離測量等功能。可進(jìn)行二維掃描、三維CT掃描。

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GuoJun標(biāo)

(7) 檢測項(xiàng)目：推拉力檢測

? 覆蓋產(chǎn)品∶ IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力測試頭，測試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力測試頭，測試范圍0-100Kg，推刀接受面寬0-8891um。

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ GuoJun標(biāo)

(8) 檢測項(xiàng)目：有害物質(zhì)檢測

? 覆蓋產(chǎn)品∶IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力∶ 支持鉛（Pb）、鎘（Cd）、汞（Hg）、六價(jià)鉻（Cr6+）、多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及鹵素等其他化學(xué)元素的檢測。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini檢測限可達(dá)2ppm。

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC

(9) 檢測項(xiàng)目：剖面分析

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

(10) 檢測項(xiàng)目：樣品開封

? 覆蓋產(chǎn)品：IC，分立器件，模塊等產(chǎn)品

? 檢測能力：激光開封、化學(xué)開封、樣品剝層。

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：客戶要求

二、電學(xué)檢測·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測項(xiàng)目：直流參數(shù)

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品；

? 檢測能力：檢測MAX電壓7500V檢測MAX電流6000A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC

(2) 檢測項(xiàng)目：雪崩能量

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力：檢測MAX電壓2500V檢測MAX電流200A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)

(3) 檢測項(xiàng)目∶柵極電阻

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件

? 檢測能力∶檢測阻抗∶0.1Ω～50Ω

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶JEDEC

(4) 檢測項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（器件級）

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件；

? 檢測能力：MAX電壓1200V MAX電流200A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等

(5) 檢測項(xiàng)目：開關(guān)時(shí)間（模塊級）

? 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品

? 檢測能力：檢測MAX電壓2700V檢測MAX電流4000A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC

(6) 檢測項(xiàng)目：反向恢復(fù)（模塊級）

? 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品

? 檢測能力：檢測MAX電壓2700V檢測MAX電流4000A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC

(7) 檢測項(xiàng)目：反向恢復(fù)（器件級）

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力：MAX電壓1200V MAX電流200A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等

(8) 檢測項(xiàng)目：柵極電荷（模塊級）

? 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品

? 檢測能力：檢測MAX電壓2700V檢測MAX電流4000A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC

(9) 檢測項(xiàng)目：柵極電荷（器件級）

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力：MAX電壓1200V MAX電流200A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等

(10) 檢測項(xiàng)目：短路耐量能力（模塊級）

? 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品

? 檢測能力：檢測MAX電壓2700V，檢測MAX電流10000A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC

(11) 檢測項(xiàng)目：短路耐量能力（器件級）

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力：檢測MAX電壓1200V，檢測MAX電流1000A；

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國標(biāo)，IEC等

(12) 檢測項(xiàng)目：結(jié)電容

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體單管器件

? 檢測能力：檢測MAX電壓3000V

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：IEC

(13) 檢測項(xiàng)目：熱阻性能（器件級）

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體單管器件

? 檢測能力：功率250W

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，JEDEC

(14) 檢測項(xiàng)目：熱阻性能（模塊級）

? 覆蓋產(chǎn)品：IGBT等模塊產(chǎn)品

? 檢測能力：MAX功率4000W

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，JEDEC

(15) 檢測項(xiàng)目：參數(shù)曲線掃描

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的l-V、C-V曲線

? 檢測能力：檢測MAX電壓3000V檢測MAX電流1500A溫度-70°C~180°C

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，IEC等

(16) 檢測項(xiàng)目：ESD能力

? 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品

? 檢測能力：HBMMAX電壓8000V；MMMAX電壓800V

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，ANSI，JEDEC等

(17) 檢測項(xiàng)目：正向浪涌能力

? 覆蓋產(chǎn)品：DIODE (Si/SiC)、整流橋；

? 檢測能力：MAX電流800A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：美軍標(biāo)，國標(biāo)

三、應(yīng)用系統(tǒng)檢測·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測項(xiàng)目：電氣參數(shù)

? 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。

? 檢測能力：低壓AC/DC電源：單相MAX輸入電壓/功率為 300V/3KVA；MAX輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：MAX輸入電壓/功率為80V/1.2KW；MAX輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相MAX輸入電壓/功率為 500V/30KVA；MAX輸出電壓/功率：700V/30KW；電機(jī)控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等

 

(2) 檢測項(xiàng)目：保護(hù)功能測試

? 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板。

? 檢測能力：低壓AC/DC電源：單相MAX輸入電壓/功率為 300V/3KVA；MAX輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：MAX輸入電壓/功率為80V/1.2KW；MAX輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相MAX輸入電壓/功率為 500V/30KVA；MAX輸出電壓/功率：700V/30KW；電機(jī)控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等

(3) 檢測項(xiàng)目：元器件應(yīng)力測試

? 覆蓋產(chǎn)品：開關(guān)電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機(jī)控制板、鋰電保護(hù)板。

? 檢測能力：MAX峰值電壓：1.5KV；MAX有效值/峰值電流：30A/50A；High溫度：260°C

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：元器件規(guī)格，客戶要求等

(4) 檢測項(xiàng)目：電氣/抗電強(qiáng)度測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：交流耐壓范圍：(0~5)KV/40mA；直流耐壓范圍：(0~6)KV/9999uA

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等

(5) 檢測項(xiàng)目：絕緣電阻測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等

(6) 檢測項(xiàng)目：接地電阻測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：30A/600mΩ

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等

(7) 檢測項(xiàng)目：低溫測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：Mini溫度：-70℃

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等

(8) 檢測項(xiàng)目：高溫測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：High溫度：~180℃

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等

(9) 檢測項(xiàng)目：高加速壽命/應(yīng)力測試

? 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度范圍∶（-100～+200）℃℃;溫度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空臺）

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國標(biāo)，IEC，客戶要求等

(10) 檢測項(xiàng)目：靜電放電抗擾度測試

? 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶（±2～±8）KV空氣靜電放電電壓范圍∶（±2～±25）KV

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國標(biāo)，IEC，客戶要求等

(11) 檢測項(xiàng)目：雷擊浪涌抗擾度測試

? 覆蓋產(chǎn)品∶電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力∶1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶（0.25～10）KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶（0～6）KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶國標(biāo)，IEC，客戶要求等；

(12) 檢測項(xiàng)目：電源端子騷擾電壓/傳導(dǎo)測試

? 覆蓋產(chǎn)品：電子電氣產(chǎn)品

? 檢測能力：9KHz~ 30MHz

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國標(biāo)，IEC，客戶要求等

四、可靠性測試·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

(1) 檢測項(xiàng)目：功率循環(huán)齷 (PC)

? 覆蓋產(chǎn)品∶IGBT模塊

? 檢測能力∶△Tj=100℃電壓電流MAX1800A，12V

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ IEC 客戶自定義

(2) 檢測項(xiàng)目：高溫門極試驗(yàn)(HTGB)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、SiC MOS等單管器件

? 檢測能力∶溫度High150℃;電壓High2000V

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(3) 檢測項(xiàng)目：低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度Mini-80℃ 電壓High2000V

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(4) 檢測項(xiàng)目：低溫儲存試驗(yàn)(LTSL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度Mini-80℃

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶ 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(5) 檢測項(xiàng)目：高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度范圍∶-80℃~220℃

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(6) 檢測項(xiàng)目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶△Tj≥100℃，電壓電流MAX48V，10A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(7) 檢測項(xiàng)目：無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度130℃ 濕度85%

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(8) 檢測項(xiàng)目：預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con)

? 覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件

? 檢測能力∶設(shè)備滿足各個等級的試驗(yàn)要求

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(9) 檢測項(xiàng)目：高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度High150℃; 電壓High2000V

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(10) 檢測項(xiàng)目：高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度High150℃，電壓High2000V

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(11) 檢測項(xiàng)目：高溫儲存試驗(yàn)(HTSL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度High150℃;

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(12) 檢測項(xiàng)目：高溫高濕試驗(yàn)(THB)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度High180℃ 濕度范圍∶10%~98%

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(13) 檢測項(xiàng)目：間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循試驗(yàn)(PC)

? 覆蓋產(chǎn)品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶△Tj≥100℃ 電壓電流MAX48V，10A

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(14) 檢測項(xiàng)目：高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶ 溫度130℃/110℃ 濕度85%

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(15) 檢測項(xiàng)目：高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

? 檢測能力∶溫度121℃ 濕度1

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(16) 檢測項(xiàng)目：潮氣敏感度等級試驗(yàn)(MSL)

? 覆蓋產(chǎn)品∶所有SMD類型器件

? 檢測能力∶設(shè)備滿足各個等級的試驗(yàn)要求

? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(17) 檢測項(xiàng)目：可焊性試驗(yàn)(Solderability)

? 覆蓋產(chǎn)品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

? 檢測能力∶有鉛、無鉛均可進(jìn)行

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)∶美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

 

五、其它測試·IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA

 

IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機(jī)構(gòu)。具有CNAS和CMA認(rèn)證資質(zhì)，擁有多個設(shè)備NO.1、水平NO.1、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實(shí)驗(yàn)單位”，對外提供檢測測試和驗(yàn)證等服務(wù)。

 

IGBT檢測試分析_**_華則檢測第三方實(shí)驗(yàn)室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業(yè)務(wù)包含功率器件參數(shù)檢測、半導(dǎo)體可靠性檢測、半導(dǎo)體環(huán)境老化試驗(yàn)分析、應(yīng)用級系統(tǒng)分析、半導(dǎo)體失效分析、車用分立器件可靠性測試認(rèn)證、車用功率模塊可靠性測試認(rèn)證、力學(xué)實(shí)驗(yàn)、氣候環(huán)境實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域，