產(chǎn)品詳情
數(shù)字源表是一系列具有電流電壓輸出和測(cè)試功能的新型測(cè)試設(shè)備,S系列數(shù)字源表可廣泛用于各類分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試中,如電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC等。本文介紹如何使用該系列產(chǎn)品建立二極管測(cè)試系統(tǒng)。
二極管在出廠前必須進(jìn)行三項(xiàng)直流參數(shù)測(cè)試:正向電壓(VF)、擊穿電壓(VR)和反向漏流(IR)測(cè)試。通常上述測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如:數(shù)字表,電壓源,電流源等。但儀器數(shù)目增多,必然引起測(cè)試速度下降,從而影響產(chǎn)量。使用普賽斯S系列數(shù)字源表,配合相應(yīng)軟件編程,可以簡(jiǎn)化測(cè)試系統(tǒng),提高測(cè)試速度和質(zhì)量,這對(duì)自動(dòng)化二極管生產(chǎn)測(cè)試非常重要。二極管直流參數(shù)測(cè)試SMU源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;
二極管直流參數(shù)測(cè)試SMU源表優(yōu)勢(shì):
? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源,并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作??梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?,預(yù)防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍,全量程測(cè)量精度0.03%。
? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量,更準(zhǔn)確的低內(nèi)阻量測(cè);集成線性階梯掃描、對(duì)數(shù)階梯掃描、自定義掃描等模式;專業(yè)l-V特性及半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件。
? 易學(xué)實(shí)用-簡(jiǎn)化了如I-V和l-t/V-t曲線等各種應(yīng)用的測(cè)量準(zhǔn)備工作。電容式觸摸屏圖形用戶界面(GUI),提供圖形化和數(shù)字化兩種測(cè)量結(jié)果顯示模式,便于使用和查看。
多合一高精密SMU,簡(jiǎn)化測(cè)量
傳統(tǒng)的半導(dǎo)體I-V特性測(cè)量方案通常是復(fù)雜且成本昂貴的,需要多種儀器配合完成測(cè)試,對(duì)不同儀器進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析,既復(fù)雜又耗時(shí),還需占用大量測(cè)試臺(tái)空間。
S系列數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載,其高性能架構(gòu)允許其使用作為波形發(fā)生器、以及自動(dòng)電流-電壓(I-V)表征系統(tǒng)。極大縮短測(cè)試系統(tǒng)的開發(fā)、建立和維護(hù)的時(shí)間,同時(shí)節(jié)省測(cè)試架或測(cè)試臺(tái)的寶貴“空間”,降低購買測(cè)試系統(tǒng)的整體成本。
四象限工作,可以作為源或負(fù)載
電源象限是指以電源輸出電壓為X軸、輸出電流為Y軸形成的象限圖。D一、三象限即電壓電流同向,源表對(duì)其它設(shè)備供電,稱為源模式;第二、四象限即電壓電流反向,其它設(shè)備對(duì)源表放電,源表被動(dòng)吸收流入的電流,且可為電流提供返回路徑,稱為阱模式。
與傳統(tǒng)矩陣電源不同,S系列源表在同等功率下,客戶可根據(jù)實(shí)際需求,選擇大電壓小電流或小電壓大電流輸出。選擇的量程不同,S系列源表的源/阱極限也有區(qū)別。
源限度-電壓源:
士10V(≤3A量程),土30V (≤1A量程),士300V (≤100mA量程)
源限度-電流源:
土3.15安(≤10V量程),土1.05安(≤30V量程),士105mA (≤300V量程)
輕松滿足常用的測(cè)量需求
觸摸屏幕上的任意圖標(biāo),就會(huì)出現(xiàn)圖像化設(shè)置屏幕。在測(cè)量前按照向?qū)е鹨辉O(shè)置,操作更直觀。
提供的應(yīng)用程序
- 序列掃描
- 自定義序列
- 數(shù)據(jù)記錄儀:持續(xù)輸出恒壓源測(cè)試模式;持續(xù)輸出恒流源測(cè)試模式
- APD管
- 晶體管:MOSFET管測(cè)試;三極管測(cè)試
- LIV:PIN管掃描測(cè)試
- Gummer:雙臺(tái)源表使用同樣參數(shù)進(jìn)行掃描
二極管直流參數(shù)測(cè)試SMU源表應(yīng)用領(lǐng)域:
分立器件特性測(cè)試:電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SiC、GaN等器件;
能量與效率特性測(cè)試:LED/AMOLED、太陽能、電池、DC/DC轉(zhuǎn)換器;
傳感器特性測(cè)試:電阻率、霍爾效應(yīng)等;
有機(jī)材料特性測(cè)試:電子墨水、印刷電子技術(shù)等;
納米材料特性測(cè)試:石墨烯、納米線等;
激光器特性測(cè)試:窄脈沖LIV測(cè)試系統(tǒng);
功率器件:靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng);
電流傳感器:動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng);