產(chǎn)品詳情
高頻感應(yīng)加熱機(jī)的主要途為，金屬熱處理 金屬淬火 金屬回火金屬透熱 金屬釬焊 銀焊 銅焊 金屬熱 型 金屬熔煉 金屬埋植塑料等
高頻感應(yīng)加熱機(jī)是目前對(duì)金屬 非金屬材料加熱效率 速度快 低耗節(jié)能環(huán)保型感應(yīng)加熱設(shè)備 高頻機(jī)全稱 高頻感應(yīng)加熱機(jī) 又名高頻加熱機(jī)
高頻感應(yīng)加熱設(shè)備 高頻感應(yīng)加熱裝置 高頻加熱電源 高頻電源 高頻焊接機(jī) 高周波感應(yīng)加熱機(jī) 高周波感應(yīng)加熱器 (焊接器)等 另外還有中頻感應(yīng)加熱設(shè)備
超音頻感應(yīng)加熱設(shè)備等 應(yīng)用范圍十分廣泛。
感應(yīng)加熱是利用導(dǎo)體在高頻磁場(chǎng)作用下產(chǎn)生的感應(yīng)電流(渦流損耗、以及導(dǎo)體內(nèi)磁場(chǎng)的作用磁滯損耗引起導(dǎo)體自身發(fā)熱而進(jìn)行加熱的。感應(yīng)加熱系統(tǒng)的構(gòu)成感應(yīng)加熱系統(tǒng)由高頻電源(高頻發(fā)生器)、導(dǎo)線、變壓器、感應(yīng)器組成。
其工作步驟：
①由高頻電源把普通電源( 220v/50hz)變成高壓高頻低電流輸出，(其頻率的高低根據(jù)加熱對(duì)象而定，就其包材而言，一般頻率應(yīng)在480kHZ左右。)
②通過(guò)變壓器把高壓、高頻低電流變成低壓高頻大電流。
③感應(yīng)器通過(guò)低壓高頻大電流后在感應(yīng)器周?chē)纬奢^強(qiáng)的高頻磁場(chǎng)。一般電流越大.磁場(chǎng)強(qiáng)度越高。
全晶加熱設(shè)備
高頻感應(yīng)加熱設(shè)備在我省已得到廣泛應(yīng)用，設(shè)各頻率范圍在20}}-450 kHz,高頻功率最大可達(dá)400 kW。我省的高頻感應(yīng)加熱設(shè)備主要應(yīng)用于金屬熱處理、’淬火、透熱、熔煉、釬焊、直縫鋼管焊接、電真空器件去氣加熱、半 導(dǎo)體材料煉制、塑料熱合、烘烤和提純等。現(xiàn)在我省使用的高頻感應(yīng)加熱設(shè)備都是以大功率真空管(發(fā)射電子管)為核心構(gòu)成單級(jí)自激振蕩器，把高壓直流電能量轉(zhuǎn)換成高頻交流電能量，它們的電子管板極轉(zhuǎn)換效率一般在75環(huán)左右，設(shè)備的整機(jī)總效率一般在50絨以下，水和電能的消耗非常大。自70年代中期后，對(duì)高頻設(shè)備也進(jìn)行了
系列改進(jìn)
（1）用節(jié)能型牡鎢煙絲電子管代替老式純鎢燈絲系列電子管，如FV-911代替FV-433 } FV-431,FV-89F管等。
（2）采用高壓硅堆整流代替充汞閘流管整流。
（3）采用大功率雙向可控硅結(jié)合微機(jī)調(diào)壓代替原閘流管調(diào)壓。
（4）根據(jù)各自工藝條件重新更改振蕩回路，選擇合理的振蕩頻率。這樣，經(jīng)過(guò)一系列改造后，使我省的高頻設(shè)備整機(jī)總電效率有一定的提高，在節(jié)能方面有一定的效果，但由于振蕩電子管這個(gè)耗電最大的器件未能改掉，所以在
節(jié)能方面，并不是特別顯著。
全晶體蒼高頻感應(yīng)加熱設(shè)備電子技術(shù)的發(fā)展，可謂日新月異。80年代初，日本首先改進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝，開(kāi)發(fā)生產(chǎn)出場(chǎng)控電力電子器件—大功率靜電感應(yīng)晶體管(SIT ) ,并設(shè)計(jì)制成換流橋式的，把直流電能量轉(zhuǎn)換成高頻電能量的全晶體管化高頻感應(yīng)加熱設(shè)備，隨后美國(guó)、西德等發(fā)達(dá)國(guó)家也迅速研制，使之很快就商品化了。
特點(diǎn)編輯
目前，靜電感應(yīng)晶體管<SIT)的單管功耗有1kW和3kW級(jí)的電力電子器件，供組裝高頻逆變?cè)O(shè)備.
全晶體管高頻感應(yīng)加熱設(shè)備主電路由靜電感應(yīng)晶體管SIT組裝的高頻感應(yīng)加熱設(shè)備主回路如附圖所示，主電路由3部份組成:
(1)直流電源部份:該部份是把工頻三相交流電轉(zhuǎn)換為直流電，并控制下面幾部份。該部份主要由三相晶閘管(SCR)可調(diào)電路和直流電抗器La與電解電容Ca組成的直流濾波器組成，調(diào)整三相晶閘管整流電路的直流輸出電壓，可調(diào)節(jié)該設(shè)備的輸出功率。輸入電壓為工頻3}p380V，最大直流電壓可達(dá)500 V以上，輸出直流可以100~100%連續(xù)可調(diào)。
2)逆變部份:該部份把直流交換為高頻交流，并控制后面部份，這部份由電壓型單相全橋電路構(gòu)成，使用1kW或3kW級(jí)功耗的SIT作為逆變橋的開(kāi)關(guān)器件，使用同一級(jí)功耗的SIT器件組成電路時(shí)，設(shè)備的功率越大，頻率越高，每一橋臂上并聯(lián)的SIT器件愈多;R C。和D.為緩沖電路，當(dāng)SIT開(kāi)始關(guān)斷而產(chǎn)生浪涌電壓，超過(guò)這些電路中的直
流電壓時(shí)，二級(jí)管D，導(dǎo)通，而電容器C。吸收該浪涌能量，使逆變橋中的SIT器件安全運(yùn)行。SIT元件的導(dǎo)通或關(guān)斷是由設(shè)備上所配備的微機(jī)和專用程序控制觸發(fā)信號(hào)，控制其導(dǎo)通或關(guān)斷。
(3)負(fù)載回路部份:該部份的功能是把高頻功率輸向被加熱的金屬工件上，負(fù)載回路是由諧振回路、電流互感器和加熱線圈組成，該電路中的串聯(lián)諧振回路構(gòu)成了電壓型逆變電路，電容器CT和電感LT兩端各產(chǎn)生幾干伏以上的高頻電壓。高頻變流器次級(jí)側(cè)通常做成單匝，聯(lián)接著加熱線圈L}，巨大的高頻電流在L。周?chē)a(chǎn)生，高頻磁通使金屬工件迅速急劇發(fā)熱。
全晶體管化高頻與電子管式高頻比較
全晶體管化高頻感應(yīng)加熱設(shè)備在如下幾 個(gè)方面優(yōu)于電子管式高頻感應(yīng)加熱設(shè)備。
工作模式得到徹底改變
電子管高頻感應(yīng)加熱設(shè)備需將工頻經(jīng)高壓整流器件變換成相應(yīng)的直流高壓才能供給電子管工作，電子管
板極內(nèi)阻天，有大量功率損耗在板極上發(fā)熱，而且需要及時(shí)加水冷卻，同時(shí)還需把一部份功率反饋到柵極，并且要較大的燈絲加熱功率，這樣就有大量的電能損耗在轉(zhuǎn)換之中。而晶體管高頻中的SIT電力電子器件，只需較小的驅(qū)動(dòng)功率來(lái)控制較大功率換流的產(chǎn)生，SIT元件正向?qū)▔航岛苄。瑩p耗不大，并且采用直流500 V的低壓工作狀態(tài)。電子管板極轉(zhuǎn)換效率最高為750o,SIT電力電子器件為9200;全晶體管高頻省去了高壓整流變壓器、高壓硅堆;如果多管并用，能使熱量分散，只需加少量的水便可，30kW以下小功率高頻可減去水冷卻，晶體管高頻整機(jī)總效率比電子管高頻要高20000
能源節(jié)約編輯
電子管高頻電壓轉(zhuǎn)換次數(shù)多，電壓變化大，而全晶體管高頻電壓變化不大，在幾百伏內(nèi)變動(dòng)，不需多次變換電能，所以全晶體管高頻比同功率電子管高頻節(jié)電3000.節(jié)水83沁，如輸出為80 kW級(jí)(FV-911S)電子管高頻，振蕩工作時(shí)輸入功率為158 kW，用水3 1/s，而同樣的輸出功為80 kW的全晶體管高頻，振蕩工作時(shí)，輸入功率只需113 kW ,用水。. 5 1/s，電子管還另需消耗2. 2 kW的燈絲加熱功率。
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。
IGBT原理編輯
IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th) 時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)，Id與Ugs呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。
IGBT 的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過(guò)MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓 Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh式中 Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV 。Udr ——擴(kuò)展電阻 Rdr 上的壓降。Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流 Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中 Imos ——流過(guò) MOSFET 的電流。
由于N+區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT的通態(tài)壓降小，耐壓1000V 的IGBT通態(tài)壓降為2～3V 。 IGBT處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。
